GB/T 33922-2017

GB/T 33922-2017
Wafer level test methods for MEMS piezoresistive pressure-sensitive die performances
ICS 31.200
L55
中华人民共和国国家标准
MEMS压阻式压力敏感芯片性能的
圆片级试验方法
2017-07-12发布
2018-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 试验条件 1
4.1 大气条件 1
4.2 电磁条件 2
4.3 振动条件 2
4.4 测试系统 2
5 试验的一般规定 2
5.1 证书文件 2
5.2 预热时间 2
5.3 连接方式 2
6 试验内容和方法 2
6.1 试验准备 2
6.2 电阻 2
6.3 常压输出 3
6.4 静态性能试验 4
6.5 温度性能试验 7
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出并归口。
本标准主要起草单位.北京大学、中机生产力促进中心、北京必创科技股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中北大学。
本标准主要起草人.张威、程红兵、陈得民、李海斌、崔波、石云波、朱悦。
MEMS压阻式压力敏感芯片性能的
圆片级试验方法
1 范围
本标准规定了 MEMS压阻式压力敏感芯片(简称压力敏感芯片)的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验内容和方法。
本标准适用于闭环和开环 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分.按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 20522 半导体器件 第14-3部分.半导体传感器---压力传感器
GB/T 26111 微机电系统(MEMS)技术 术语
3 术语和定义
GB/T 20522和GB/T 26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
压阻式压力敏感芯片 piezoresistivepressure-sensitivedie
采用 MEMS技术在硅衬底上制造腔膜结构,在膜上制作半导体电阻并组成惠斯通电桥,利用半导
体的压阻效应实现将压力信号转化为电信号的芯片。
3.2
闭环压阻式压力敏感芯片 closedlooppiezoresistivepressure-sensitivedie
惠斯通电桥为封闭结构的压力敏感芯片。
3.3
开环压阻式压力敏感芯片 openlooppiezoresistivepressure-sensitivedie
惠斯通电桥为开放结构的压力敏感芯片。
4 试验条件
4.1 大气条件
除非另有规定外,所有试验都应在以下条件进行.
a) 标准大气条件.
温度.15℃~35℃;
相对湿度.20%~80%;
大气压力.86kPa~106kPa。